Czasopismo
Tytuł artykułu
Autorzy
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The paper discusses perspectives of elaborating microelectronic and optoelectronic devices on polycrystalline silicon films. The I-V features of structures with p-n-junction, formed by using methods of р-type conductivity layer grow, thermal diffusion and ion-implantation of boron atoms into n-type polycrystalline silicon layer are compared. The I-V feature with S-form curve of the investigated structures conditioned by changing of the conductivities of base and grain boundaries under thermal processing are revealed.(original abstract)
Rocznik
Tom
Strony
106--109
Opis fizyczny
Twórcy
autor
- Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet
autor
- Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet
Bibliografia
- Абакумов, А., Карагеоргий-Алкалаев, П., Каримова, И., 1977. В кн. «Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника», Ташкент, Фан, С. 3-23.
- Алиев, Р., 1997. «Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых р+-п-п+ структурах», Физика и Техника Полупроводников, 1997, т. 31, N.4.C. 425-426.
- Викулин, И., Стафеев, В., 1980. Физика полупроводниковых приборов, Москва, Советское радио.
- Викулин, И., Курмашев, Ш., Стафеев, В., 2008. «Инжекционные фотоприемники», Физика и Техника Полупроводников, т. 42, вып. 1, С. 113-127.
- Георгиев, В. и др., 1990. «Межкристаллитные границы и свойства поликристаллического кремния», «Поверхность», N 9, С. 5-21.
- Зи, С., 1973. Физика полупроводниковых приборов, Пер. с англ., Москва, Энергия.
- Мўминов, Р., Ахмедов, Ф., Касимова, Т., 1985. «К диффузии примесей по границам зерен в поликристаллическом кремнии», «Гелиотехника», № 1, С. 67-69.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikatory
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.ekon-element-000171312695