Use prospects in microelectronics for polycrystalline silicon film structures with p-n junction

• Autorzy: Raimjon Aliev , Erkin Mutarov
• Języki publikacji: RU

Abstrakty

EN

The paper discusses perspectives of elaborating microelectronic and optoelectronic devices on polycrystalline silicon films. The I-V features of structures with p-n-junction, formed by using methods of р-type conductivity layer grow, thermal diffusion and ion-implantation of boron atoms into n-type polycrystalline silicon layer are compared. The I-V feature with S-form curve of the investigated structures conditioned by changing of the conductivities of base and grain boundaries under thermal processing are revealed.(original abstract)

Słowa kluczowe

EN

Electronics; Technology; Electronics industry

PL

Elektronika; Technologia; Przemysł elektroniczny

• Czasopismo: Perspectives of Innovations, Economics and Business
• Rocznik: 2009
• Tom: 2
• Strony: 106--109

Twórcy

autor

Raimjon Aliev

• Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet

autor

Erkin Mutarov

• Andizhanskiy Gosudarstvennyy Universitet

Bibliografia

• Абакумов, А., Карагеоргий-Алкалаев, П., Каримова, И., 1977. В кн. «Физические явления в полупроводниковых структурах с глубокими уровнями и оптоэлектроника», Ташкент, Фан, С. 3-23.
• Алиев, Р., 1997. «Инжекционное усиление фототока в поликристаллических кремниевых р+-п-п+ структурах», Физика и Техника Полупроводников, 1997, т. 31, N.4.C. 425-426.
• Викулин, И., Стафеев, В., 1980. Физика полупроводниковых приборов, Москва, Советское радио.
• Викулин, И., Курмашев, Ш., Стафеев, В., 2008. «Инжекционные фотоприемники», Физика и Техника Полупроводников, т. 42, вып. 1, С. 113-127.
• Георгиев, В. и др., 1990. «Межкристаллитные границы и свойства поликристаллического кремния», «Поверхность», N 9, С. 5-21.
• Зи, С., 1973. Физика полупроводниковых приборов, Пер. с англ., Москва, Энергия.
• Мўминов, Р., Ахмедов, Ф., Касимова, Т., 1985. «К диффузии примесей по границам зерен в поликристаллическом кремнии», «Гелиотехника», № 1, С. 67-69.