Budowa ogniwa PV III generacji z krzemu amorficznego (a-Si) w technologii TOPCon

• Autorzy: Kamil Andruszkiewicz , Ryszard Tytko
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

Ogniwa te nie mają już klasycznego złącza typu p-n lecz heterozłącza krzemowe (technologia cienkowarstwowa). Domieszkując przez dyfundowanie fosfor do cienkiej warstwy wafla krzemu, otrzymano na powłoce walencyjnej półprzewodnika krzemowego swobodny elektron (ładunek ujemny). Domieszkując do cienkiej warstwy (nanowarstwy) z krzemu amorficznego bor (B), otrzymano na powłoce walencyjnej półprzewodnika krzemowego nadmiar dziur (ładunek dodatni). Cienkie nanowarstwy krzemu typu n (wafel) i p (polikrystaliczny krzem domieszkowany borem), nałożone na siebie, tworzą złącze p-n. Dzięki opisanemu procesowi powstało wysokowydajne tunelowe ogniwo słoneczne. Technologia N - TYPE - TOPCon (Tunnel Oxide Passivated Contacts), polega więc na zastosowaniu selektywnej warstwy pasywnej, zawierającej ultracienkie tunele w warstwie krzemu. (fragment tekstu)

Słowa kluczowe

PL

Energia słoneczna; Energia odnawialna; Technologie wytwarzania; Parametry techniczne

EN

Solar energy; Renewable energy; Manufacturing technologies; Technical parameters

• Czasopismo: Aura
• Rocznik: 2022
• Numer: nr 1
• Strony: 12--14

Twórcy

autor

Kamil Andruszkiewicz

• Politechnika Białostocka

autor

Ryszard Tytko

• Eco Investment Sp. z o.o.

Bibliografia

• [1] Tytko R. Fotowoltaika. Wydanie V, 2021, Wydawnictwo i Drukarnia Towarzystwa Słowaków w Polsce, Kraków.
• [2] www.jolywood.cn
• [3] www.cezamat.eu
• [4] www.energiapomorze.pl
• [5] www.intechopen.com
• [6] www.tno.nl
• [7] www.tempress.dk
• [8] www.jitriioo.com
• [9] www.eprad.pl